La Chine développe une mémoire flash 10 000 fois plus rapide avec une vitesse de 400 picosecondes, un exploit scientifiq

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La Chine développe une mémoire flash 10 000 fois plus rapide avec une vitesse de 400 picosecondes, un exploit scientifique qui devra surmonter les défis de l'industrialisation
Une équipe de scientifiques de l'université de Fudan a développé PoX, une innovation majeure dans le domaine du stockage : une mémoire...

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